ZVN4206ASTZ , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.6 A, Vds=60 V, 3针 E-Line封装
- RS 库存编号:
- 669-7717
- 制造商零件编号:
- ZVN4206ASTZ
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.446 | RMB54.46 |
| 50 - 190 | RMB4.24 | RMB42.40 |
| 200 - 490 | RMB3.808 | RMB38.08 |
| 500 - 990 | RMB3.313 | RMB33.13 |
| 1000 + | RMB3.043 | RMB30.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 669-7717
- 制造商零件编号:
- ZVN4206ASTZ
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 600 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | E-Line | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 700 mW | |
| 高度 | 4.01mm | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 100 pF@ 25 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.41mm | |
| 尺寸 | 4.77 x 2.41 x 4.01mm | |
| 长度 | 4.77mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 600 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 1 Ω | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 E-Line | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 700 mW | ||
高度 4.01mm | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
典型输入电容值@Vds 100 pF@ 25 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.41mm | ||
尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm | ||
长度 4.77mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||