FCB11N60TM , N沟道 MOSFET 晶体管, 11 A, Vds=600 V, 3针 D2PAK封装

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RS 库存编号:
671-0337P
制造商零件编号:
FCB11N60TM
制造商:
Fairchild Semiconductor
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品牌

Fairchild Semiconductor

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11

最大漏源电压 Vd

600

系列

SuperFET

包装类型

D2PAK

安装类型

表面安装

引脚数目

3

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

40

最大功耗 Pd

125

最大栅源电压 Vgs

30

最低工作温度

-55

正向电压 Vf

1.4

最高工作温度

150

高度

4.83

标准/认证

No

长度

10.67

宽度

9.65

汽车标准