FDMA1032CZ, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=20 V, 6针 MicroFET封装
- RS 库存编号:
- 671-0374
- 制造商零件编号:
- FDMA1032CZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB20.35
(不含税)
RMB23.00
(含税)
有库存
- 另外 250 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.07 | RMB20.35 |
| 25 - 95 | RMB2.938 | RMB14.69 |
| 100 - 245 | RMB2.024 | RMB10.12 |
| 250 - 495 | RMB1.984 | RMB9.92 |
| 500 + | RMB1.944 | RMB9.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0374
- 制造商零件编号:
- FDMA1032CZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.1 A，3.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 68 mΩ，95 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1400 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4 nC @ 4.5 V，7 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 340 pF@ 10 V, 540 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns, 37 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns, 13 ns | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
| 宽度 | 2mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 3.1 A，3.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 68 mΩ，95 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1400 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 4.5 V，7 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 340 pF@ 10 V, 540 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 14 ns, 37 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 8 ns, 13 ns | ||
高度 0.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 2 x 0.75mm | ||
宽度 2mm | ||
系列 PowerTrench | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN