FDMA530PZ , P沟道 MOSFET 晶体管, 6.8 A, Vds=30 V, 6针 MicroFET封装

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Packaging Options:
RS 库存编号:
671-0378P
制造商零件编号:
FDMA530PZ
制造商:
Fairchild Semiconductor
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品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

6.8 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

35 mΩ

最小栅阈值电压

1V

最大栅源电压

-25 V、+25 V

封装类型

MLP

安装类型

表面贴装

晶体管配置

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2400 mW

高度

0.75mm

典型关断延迟时间

43 ns

典型输入电容值@Vds

805 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs

16 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

长度

2mm

尺寸

2 x 2 x 0.75mm

系列

PowerTrench

最高工作温度

+150 °C

宽度

2mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

典型接通延迟时间

6 ns