FDN352AP , P沟道 MOSFET 晶体管, 1.3 A, Vds=30 V, 3针 SuperSOT封装
- RS 库存编号:
- 671-0447
- 制造商零件编号:
- FDN352AP
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB15.31
(不含税)
RMB17.30
(含税)
有库存
- 另外 300 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB1.531 | RMB15.31 |
| 50 - 90 | RMB1.522 | RMB15.22 |
| 100 - 240 | RMB1.02 | RMB10.20 |
| 250 - 490 | RMB1.00 | RMB10.00 |
| 500 + | RMB0.98 | RMB9.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0447
- 制造商零件编号:
- FDN352AP
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.3 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 500 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.4 | |
| 正向电压 Vf | -1.2 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 2.92 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.94 | |
| 宽度 | 1.4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 1.3 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 500 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.4 | ||
正向电压 Vf -1.2 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 2.92 | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.94 | ||
宽度 1.4 | ||
汽车标准 否 | ||