FDS6679AZ , P沟道 MOSFET 晶体管, 13 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 671-0602
- 制造商零件编号:
- FDS6679AZ
- 制造商:
- onsemi
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RMB25.54
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB5.108 | RMB25.54 |
| 25 - 95 | RMB3.972 | RMB19.86 |
| 100 - 245 | RMB3.224 | RMB16.12 |
| 250 - 495 | RMB3.16 | RMB15.80 |
| 500 + | RMB2.882 | RMB14.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0602
- 制造商零件编号:
- FDS6679AZ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 最大功耗 Pd | 2.5 | |
| 正向电压 Vf | -1.2 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 5 | |
| 高度 | 1.5 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
最大功耗 Pd 2.5 | ||
正向电压 Vf -1.2 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 5 | ||
高度 1.5 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 | ||
汽车标准 否 | ||