FDS6681Z , P沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 671-0618
- 制造商零件编号:
- FDS6681Z
- 制造商:
- onsemi
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RMB55.67
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB11.134 | RMB55.67 |
| 10 - 15 | RMB9.374 | RMB46.87 |
| 20 - 45 | RMB9.19 | RMB45.95 |
| 50 - 95 | RMB9.008 | RMB45.04 |
| 100 + | RMB7.194 | RMB35.97 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0618
- 制造商零件编号:
- FDS6681Z
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2.5 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | -1.2 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 185 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5 | |
| 高度 | 1.5 | |
| 宽度 | 4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2.5 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf -1.2 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 185 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 5 | ||
高度 1.5 | ||
宽度 4 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN