FDS9926A, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 6.5 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 671-0769
- 制造商零件编号:
- FDS9926A
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB3.856 | RMB19.28 |
| 25 - 95 | RMB3.022 | RMB15.11 |
| 100 - 245 | RMB2.154 | RMB10.77 |
| 250 - 495 | RMB2.052 | RMB10.26 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0769
- 制造商零件编号:
- FDS9926A
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.2 | |
| 最大功耗 Pd | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 | |
| 正向电压 Vf | 0.73 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 | |
| 高度 | 1.5 | |
| 长度 | 5 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.5 | ||
最大漏源电压 Vd 20 | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.2 | ||
最大功耗 Pd 2 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 | ||
正向电压 Vf 0.73 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 | ||
高度 1.5 | ||
长度 5 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN