FDT3612 , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.7 A, Vds=100 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 671-0778
- 制造商零件编号:
- FDT3612
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.496 | RMB22.48 |
| 25 - 95 | RMB3.512 | RMB17.56 |
| 100 - 245 | RMB2.504 | RMB12.52 |
| 250 - 495 | RMB2.386 | RMB11.93 |
| 500 + | RMB2.272 | RMB11.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0778
- 制造商零件编号:
- FDT3612
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.56mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 632 pF@ 50 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 8.5 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.56 x 1.6mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 120 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.56mm | ||
典型输入电容值@Vds 632 pF@ 50 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 8.5 ns | ||
典型关断延迟时间 23 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.5 x 3.56 x 1.6mm | ||
高度 1.6mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN