FQB19N20CTM , N沟道 MOSFET 晶体管, 19 A, Vds=200 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 671-0867P
- 制造商零件编号:
- FQB19N20CTM
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
RMB127.05
(不含税)
RMB143.575
(含税)
有库存
- 另外 1,265 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB5.082 |
| 100 - 245 | RMB4.994 |
| 250 - 495 | RMB4.896 |
| 500 + | RMB4.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0867P
- 制造商零件编号:
- FQB19N20CTM
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 19 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.13 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40.5 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 830 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 135 ns | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | QFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 19 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 170 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.13 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 40.5 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 830 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 135 ns | ||
高度 4.83mm | ||
系列 QFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.65mm | ||