FQT13N06TF , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.8 A, Vds=60 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 671-1052P
- 制造商零件编号:
- FQT13N06TF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
RMB73.80
(不含税)
RMB83.40
(含税)
有库存
- 4,460 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB2.952 |
| 100 - 245 | RMB2.544 |
| 250 - 495 | RMB2.494 |
| 500 + | RMB2.444 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-1052P
- 制造商零件编号:
- FQT13N06TF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 宽度 | 3.56mm | |
| 典型关断延迟时间 | 8 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 240 pF@ 25 V | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 系列 | QFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.56 x 1.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
宽度 3.56mm | ||
典型关断延迟时间 8 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 240 pF@ 25 V | ||
高度 1.6mm | ||
系列 QFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 6.5 x 3.56 x 1.6mm | ||