ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000, 200 mA, Vds=60 V, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 671-4733
- 制造商零件编号:
- 2N7000
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB1.387 | RMB27.74 |
| 40 - 80 | RMB1.359 | RMB27.18 |
| 100 - 180 | RMB0.911 | RMB18.22 |
| 200 - 380 | RMB0.893 | RMB17.86 |
| 400 + | RMB0.875 | RMB17.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-4733
- 制造商零件编号:
- 2N7000
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 系列 | 2N7000 | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 400 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.8 | |
| 正向电压 Vf | 0.88 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.2 | |
| 宽度 | 4.19 | |
| 高度 | 5.33 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 200 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
系列 2N7000 | ||
包装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 400 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.8 | ||
正向电压 Vf 0.88 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.2 | ||
宽度 4.19 | ||
高度 5.33 | ||
汽车标准 否 | ||