FDP7030BL , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=30 V, 3针 TO-220，TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 671-4853
- 制造商零件编号:
- FDP7030BL
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB5.112 | RMB25.56 |
| 25 - 95 | RMB5.01 | RMB25.05 |
| 100 - 245 | RMB4.91 | RMB24.55 |
| 250 - 495 | RMB4.812 | RMB24.06 |
| 500 + | RMB4.716 | RMB23.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-4853
- 制造商零件编号:
- FDP7030BL
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 9.4mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1760 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 5 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 9 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 60 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.83mm | ||
尺寸 10.67 x 4.83 x 9.4mm | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 9.4mm | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1760 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 5 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- GB