FQI4N80TU , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.9 A, Vds=800 V, 3针 I2PAK封装
- RS 库存编号:
- 671-4994
- 制造商零件编号:
- FQI4N80TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB48.93
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB9.786 | RMB48.93 |
| 25 - 95 | RMB7.566 | RMB37.83 |
| 100 - 245 | RMB6.334 | RMB31.67 |
| 250 - 495 | RMB6.032 | RMB30.16 |
| 500 + | RMB5.51 | RMB27.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-4994
- 制造商零件编号:
- FQI4N80TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.6 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.13 W | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 尺寸 | 9.9 x 4.5 x 9.2mm | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 9.2mm | |
| 系列 | QFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 680 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
最大漏源电阻值 3.6 Ω | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.13 W | ||
长度 9.9mm | ||
尺寸 9.9 x 4.5 x 9.2mm | ||
宽度 4.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 9.2mm | ||
系列 QFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 35 ns | ||
典型输入电容值@Vds 680 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN