FQP6N40C , N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=400 V, 3针 TO-220，TO-220AB封装

品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

6 A

最大漏源电压

400 V

最大漏源电阻值

1 Ω

最小栅阈值电压

2V

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

晶体管配置

单

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

73000 mW

尺寸

10.1 x 4.7 x 9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

典型接通延迟时间

13 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

16 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

480 pF @ 25 V

系列

QFET

最高工作温度

+150 °C

典型关断延迟时间

21 ns

高度

9.4mm