FQP8N80C , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=800 V, 3针 TO-220，TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 671-5199
- 制造商零件编号:
- FQP8N80C
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB11.384 | RMB56.92 |
| 25 - 95 | RMB9.194 | RMB45.97 |
| 100 - 245 | RMB7.466 | RMB37.33 |
| 250 - 495 | RMB7.318 | RMB36.59 |
| 500 + | RMB6.444 | RMB32.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-5199
- 制造商零件编号:
- FQP8N80C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8 | |
| 最大漏源电压 Vd | 800 | |
| 系列 | QFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 178 | |
| 正向电压 Vf | 1.4 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 9.4 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.7 | |
| 长度 | 10.1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 8 | ||
最大漏源电压 Vd 800 | ||
系列 QFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 178 | ||
正向电压 Vf 1.4 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 9.4 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.7 | ||
长度 10.1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN