FQPF8N60C , N沟道 MOSFET 晶体管, 7.5 A, Vds=600 V, 3针 TO-220F封装

品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

7.5 A

最大漏源电压

600 V

最大漏源电阻值

1.2 Ω

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-220F

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

48 W

尺寸

10.16 x 4.7 x 9.19mm

宽度

4.7mm

最高工作温度

+150 °C

长度

10.16mm

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

28 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

965 pF @ 25 V

典型关断延迟时间

81 ns

典型接通延迟时间

16.5 ns

高度

9.19mm

每片芯片元件数目

1