STE40NC60 , N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=600 V, 4针 ISOTOP封装
- RS 库存编号:
- 687-5226P
- 制造商零件编号:
- STE40NC60
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 5 件 (按管提供)*
RMB921.50
(不含税)
RMB1,041.30
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年8月10日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB184.30 |
| 10 - 24 | RMB178.88 |
| 25 - 49 | RMB177.68 |
| 50 + | RMB174.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-5226P
- 制造商零件编号:
- STE40NC60
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | ISOTOP | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 460 W | |
| 典型接通延迟时间 | 49 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 38.2 x 25.5 x 9.1mm | |
| 长度 | 38.2mm | |
| 宽度 | 25.5mm | |
| 高度 | 9.1mm | |
| 系列 | MDmesh, SuperMESH | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 307.5 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 11100pF@ 25V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 130 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 ISOTOP | ||
安装类型 面板安装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 460 W | ||
典型接通延迟时间 49 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 38.2 x 25.5 x 9.1mm | ||
长度 38.2mm | ||
宽度 25.5mm | ||
高度 9.1mm | ||
系列 MDmesh, SuperMESH | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 307.5 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 11100pF@ 25V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||