STP80NF03L-04 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 687-5314
- 制造商零件编号:
- STP80NF03L-04
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB42.52
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- 最后 70 件在 2026年6月01日 发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB21.26 | RMB42.52 |
| 10 - 18 | RMB17.765 | RMB35.53 |
| 20 - 48 | RMB17.415 | RMB34.83 |
| 50 - 98 | RMB17.07 | RMB34.14 |
| 100 + | RMB15.20 | RMB30.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-5314
- 制造商零件编号:
- STP80NF03L-04
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 5500 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 高度 | 9.15mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 系列 | STripFET II | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 85 nC @ 4.5 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 4 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300 W | ||
典型输入电容值@Vds 5500 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 110 ns | ||
高度 9.15mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.4mm | ||
尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm | ||
宽度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 30 ns | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
系列 STripFET II | ||
典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 4.5 V | ||