STD3NK60Z-1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.4 A, Vds=600 V, 3针 IPAK封装

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

2.4 A

最大漏源电压

600 V

最大漏源电阻值

3.6 Ω

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

3V

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

IPAK (TO-251)

安装类型

通孔

引脚数目

3

晶体管配置

单

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

45 W

尺寸

6.6 x 2.4 x 6.2mm

长度

6.6mm

晶体管材料

Si

典型接通延迟时间

9 ns

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+150 °C

典型关断延迟时间

19 ns

高度

6.2mm

典型栅极电荷@Vgs

11.8 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

宽度

2.4mm

典型输入电容值@Vds

311 pF@ 25 V

系列

MDmesh, SuperMESH