IRF6646TR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=80 V, 5针 DirectFET MN,SOIC封装

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RS 库存编号:
688-6712
制造商零件编号:
IRF6646TR1PBF
制造商:
International Rectifier
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品牌

International Rectifier

通道类型

N

最大连续漏极电流

12 A

最大漏源电压

80 V

最大漏源电阻值

10 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

DirectFET MN

安装类型

表面贴装

引脚数目

5

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2800 mW

宽度

5.05mm

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

17 ns

最低工作温度

-40 °C

典型栅极电荷@Vgs

36 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

2060 pF @ 25 V

典型关断延迟时间

31 ns

高度

0.6mm

最高工作温度

+150 °C

长度

5.45mm

尺寸

5.45 x 5.05 x 0.6mm

COO (Country of Origin):
MX