IRF6662TR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 8.3 A, Vds=100 V, 7针 DirectFET MZ封装
- RS 库存编号:
- 688-6728
- 制造商零件编号:
- IRF6662TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB47.60
(不含税)
RMB53.78
(含税)
有限的库存
- 另外 614 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB23.80 | RMB47.60 |
| 10 - 18 | RMB18.60 | RMB37.20 |
| 20 - 38 | RMB16.70 | RMB33.40 |
| 40 - 98 | RMB14.50 | RMB29.00 |
| 100 + | RMB13.30 | RMB26.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6728
- 制造商零件编号:
- IRF6662TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.3 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DirectFET MZ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.8 W | |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns | |
| 尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5.45mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1360 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.3 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 22 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DirectFET MZ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.8 W | ||
典型关断延迟时间 24 ns | ||
尺寸 5.45 x 5.05 x 0.6mm | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5.45mm | ||
典型输入电容值@Vds 1360 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
宽度 5.05mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||