IRF6710S2TR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=25 V, 7针 DirectFET S1封装

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RS 库存编号:
688-6734
制造商零件编号:
IRF6710S2TR1PBF
制造商:
International Rectifier
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品牌

International Rectifier

通道类型

N

最大连续漏极电流

12 A

最大漏源电压

25 V

最大漏源电阻值

6 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

DirectFET S1

安装类型

表面贴装

引脚数目

7

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

1.8 W

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

7.9 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

8.8 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds

1190 pF @ 13 V

典型关断延迟时间

5.2 ns

宽度

3.95mm

高度

0.66mm

最高工作温度

+175 °C

长度

4.85mm

尺寸

4.85 x 3.95 x 0.66mm