IRF6724MTR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 27 A, Vds=30 V, 7针 DirectFET MX封装
- RS 库存编号:
- 688-6774
- 制造商零件编号:
- IRF6724MTR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB24.305 | RMB48.61 |
| 10 - 18 | RMB17.96 | RMB35.92 |
| 20 - 38 | RMB17.105 | RMB34.21 |
| 40 - 98 | RMB16.855 | RMB33.71 |
| 100 + | RMB13.145 | RMB26.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6774
- 制造商零件编号:
- IRF6724MTR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 27 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DirectFET MX | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2800 mW | |
| 典型输入电容值@Vds | 4404 pF @ 15 V | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | DirectFET, HEXFET | |
| 尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 长度 | 5.45mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 27 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 3 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DirectFET MX | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 7 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2800 mW | ||
典型输入电容值@Vds 4404 pF @ 15 V | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 4.5 V | ||
宽度 5.05mm | ||
典型关断延迟时间 23 ns | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 DirectFET, HEXFET | ||
尺寸 5.45 x 5.05 x 0.6mm | ||
高度 0.6mm | ||
长度 5.45mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MX