IRF6726MTR1PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 32 A, Vds=30 V, 7针 DirectFET MT封装
- RS 库存编号:
- 688-6787
- 制造商零件编号:
- IRF6726MTR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB47.71
(不含税)
RMB53.912
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB23.855 | RMB47.71 |
| 10 - 18 | RMB16.745 | RMB33.49 |
| 20 - 38 | RMB16.74 | RMB33.48 |
| 40 - 98 | RMB14.515 | RMB29.03 |
| 100 + | RMB12.965 | RMB25.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6787
- 制造商零件编号:
- IRF6726MTR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 32 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DirectFET MT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.8 W | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 51 nC @ 4.5 V | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 6140 pF @ 15 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | |
| 长度 | 5.45mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 32 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DirectFET MT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.8 W | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
宽度 5.05mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 4.5 V | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
典型输入电容值@Vds 6140 pF @ 15 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.6mm | ||
尺寸 5.45 x 5.05 x 0.6mm | ||
长度 5.45mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MX