Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324S-7PPBF, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 688-6816P
- 制造商零件编号:
- IRF1324S-7PPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB33.51 |
| 10 - 19 | RMB22.86 |
| 20 - 49 | RMB22.41 |
| 50 + | RMB21.97 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6816P
- 制造商零件编号:
- IRF1324S-7PPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 429 A | |
| 最大漏源电压 | 24 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300000 mW | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 4.55mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 7700 pF@ 19 | |
| 典型关断延迟时间 | 86 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 429 A | ||
最大漏源电压 24 V | ||
最大漏源电阻值 1 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 7 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300000 mW | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 4.55mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 7700 pF@ 19 | ||
典型关断延迟时间 86 ns | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||