Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF3707ZPBF, 59 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 688-6835
- 制造商零件编号:
- IRF3707ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB53.56
(不含税)
RMB60.525
(含税)
有限的库存
- 另外 15 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB10.712 | RMB53.56 |
| 25 - 45 | RMB7.752 | RMB38.76 |
| 50 - 95 | RMB7.382 | RMB36.91 |
| 100 - 245 | RMB5.474 | RMB27.37 |
| 250 + | RMB5.042 | RMB25.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6835
- 制造商零件编号:
- IRF3707ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 59 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 57 W | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 9.8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1210 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.7 nC @ 4.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 59 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 10 mΩ | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 57 W | ||
高度 8.77mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 9.8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1210 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 9.7 nC @ 4.5 V | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||