Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, 160 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
688-6910P
制造商零件编号:
IRFB3306PBF
制造商:
International Rectifier
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品牌

International Rectifier

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

160

最大漏源电压 Vd

60

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

85

最低工作温度

-55

最大栅源电压 Vgs

20

正向电压 Vf

1.3

最大功耗 Pd

230

最高工作温度

175

高度

9.02

宽度

4.82

长度

10.66

标准/认证

No

汽车标准