Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3207ZPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 688-6917P
- 制造商零件编号:
- IRFB3207ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB159.20
(不含税)
RMB179.90
(含税)
有库存
- 另外 546 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB15.92 |
| 20 - 38 | RMB14.32 |
| 40 - 98 | RMB14.155 |
| 100 + | RMB13.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6917P
- 制造商零件编号:
- IRFB3207ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 170 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300000 mW | |
| 尺寸 | 10.66 x 4.82 x 9.02mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 55 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 6920 pF@ 50 V | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 170 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
最大漏源电阻值 4 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300000 mW | ||
尺寸 10.66 x 4.82 x 9.02mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 55 ns | ||
典型输入电容值@Vds 6920 pF@ 50 V | ||
长度 10.66mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 4.82mm | ||
高度 9.02mm | ||
系列 HEXFET | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN