Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
- RS 库存编号:
- 688-6989
- 制造商零件编号:
- IRFP3206PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB19.13 | RMB38.26 |
| 10 - 18 | RMB11.46 | RMB22.92 |
| 20 - 38 | RMB11.235 | RMB22.47 |
| 40 - 98 | RMB11.01 | RMB22.02 |
| 100 + | RMB10.38 | RMB20.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-6989
- 制造商零件编号:
- IRFP3206PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 120 | |
| 最大功耗 Pd | 280 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 高度 | 20.7 | |
| 宽度 | 5.31 | |
| 长度 | 15.87 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 200 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 120 | ||
最大功耗 Pd 280 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
最高工作温度 175 | ||
高度 20.7 | ||
宽度 5.31 | ||
长度 15.87 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||