Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4668PBF, 130 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
- RS 库存编号:
- 688-7027
- 制造商零件编号:
- IRFP4668PBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB51.40
(不含税)
RMB58.08
(含税)
有限的库存
- 另外 20 件在 2026年6月01日 发货
- 另外 122 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB51.40 |
| 5 - 9 | RMB50.39 |
| 10 - 19 | RMB37.63 |
| 20 - 49 | RMB36.89 |
| 50 + | RMB35.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-7027
- 制造商零件编号:
- IRFP4668PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 130 | |
| 最大漏源电压 Vd | 200 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 161 | |
| 最大功耗 Pd | 520 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 高度 | 20.7 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87 | |
| 宽度 | 5.31 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 130 | ||
最大漏源电压 Vd 200 | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 161 | ||
最大功耗 Pd 520 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
最高工作温度 175 | ||
高度 20.7 | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87 | ||
宽度 5.31 | ||
汽车标准 否 | ||