Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
- RS 库存编号:
- 688-7070
- 制造商零件编号:
- IRFS3307ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB19.50 | RMB39.00 |
| 10 - 18 | RMB12.64 | RMB25.28 |
| 20 - 38 | RMB11.28 | RMB22.56 |
| 40 - 98 | RMB11.20 | RMB22.40 |
| 100 + | RMB10.60 | RMB21.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-7070
- 制造商零件编号:
- IRFS3307ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 230000 mW | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 79 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 4750 pF@ 50 V | |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
最大漏源电阻值 6 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 230000 mW | ||
高度 2.39mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 79 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 4750 pF@ 50 V | ||
典型关断延迟时间 38 ns | ||
宽度 6.22mm | ||