Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU120ZPBF, 8.7 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 688-7119
- 制造商零件编号:
- IRFU120ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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- RS 库存编号:
- 688-7119
- 制造商零件编号:
- IRFU120ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 35000 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.9 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 310 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 27 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.3 x 6.1mm | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 典型接通延迟时间 | 8.3 ns | |
| 高度 | 6.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 35000 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.9 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 310 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 27 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.6mm | ||
尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm | ||
宽度 2.3mm | ||
典型接通延迟时间 8.3 ns | ||
高度 6.1mm | ||