IRFU3504ZPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 77 A, Vds=40 V, 3针 IPAK封装

品牌

International Rectifier

通道类型

N

最大连续漏极电流

77 A

最大漏源电压

40 V

最大漏源电阻值

9 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

IPAK

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

90000 mW

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

30 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

1510 pF @ 25 V

典型接通延迟时间

15 ns

典型关断延迟时间

30 ns

宽度

2.3mm

每片芯片元件数目

1

尺寸

6.6 x 2.3 x 6.1mm

高度

6.1mm

系列

HEXFET

长度

6.6mm

最高工作温度

+175 °C