Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4105ZPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
- RS 库存编号:
- 688-7156
- 制造商零件编号:
- IRFU4105ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB9.312 | RMB46.56 |
| 25 - 45 | RMB4.82 | RMB24.10 |
| 50 - 95 | RMB4.724 | RMB23.62 |
| 100 - 245 | RMB4.054 | RMB20.27 |
| 250 + | RMB3.974 | RMB19.87 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-7156
- 制造商零件编号:
- IRFU4105ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 48 W | |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 740 pF@ 25 V | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 6.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.3 x 6.1mm | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 48 W | ||
典型关断延迟时间 26 ns | ||
典型输入电容值@Vds 740 pF@ 25 V | ||
长度 6.6mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 6.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm | ||
宽度 2.3mm | ||
系列 HEXFET | ||