Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL1404ZSPBF, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
- RS 库存编号:
- 688-7171
- 制造商零件编号:
- IRL1404ZSPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB20.45
(不含税)
RMB23.108
(含税)
有库存
- 另外 28 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB10.225 | RMB20.45 |
| 10 - 18 | RMB10.02 | RMB20.04 |
| 20 - 38 | RMB9.82 | RMB19.64 |
| 40 - 98 | RMB9.625 | RMB19.25 |
| 100 + | RMB9.435 | RMB18.87 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-7171
- 制造商零件编号:
- IRL1404ZSPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 230000 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 5080 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 75 nC @ 5 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 3 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.7V | ||
最小栅阈值电压 1.4V | ||
最大栅源电压 ±16 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 230000 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.83mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 9.65mm | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
典型输入电容值@Vds 5080 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 5 V | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||