Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833PBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 688-7193
- 制造商零件编号:
- IRL7833PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB7.485 | RMB14.97 |
| 10 - 18 | RMB7.335 | RMB14.67 |
| 20 - 38 | RMB7.19 | RMB14.38 |
| 40 - 98 | RMB7.045 | RMB14.09 |
| 100 + | RMB6.905 | RMB13.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-7193
- 制造商零件编号:
- IRL7833PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 150 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 140000 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 4170 pF@ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 150 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 4 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最小栅阈值电压 1.4V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 140000 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 4.5 V | ||
高度 8.77mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 4170 pF@ 15 V | ||
典型关断延迟时间 21 ns | ||