Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLS3034-7PPBF, 380 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
- RS 库存编号:
- 688-7257
- 制造商零件编号:
- IRLS3034-7PPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB25.94
(不含税)
RMB29.31
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB25.94 |
| 5 - 9 | RMB25.43 |
| 10 - 19 | RMB24.93 |
| 20 - 49 | RMB24.44 |
| 50 + | RMB23.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-7257
- 制造商零件编号:
- IRLS3034-7PPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 380 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 380000 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 71 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 120 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 10990 pF@ 40 V | |
| 典型关断延迟时间 | 94 ns | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 380 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 1 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 380000 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 71 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 10990 pF@ 40 V | ||
典型关断延迟时间 94 ns | ||
高度 4.83mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.65mm | ||