NTMD3P03R2G, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 3.86 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装

品牌

ON Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

3.8 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

85 mΩ

最大栅阈值电压

2.5V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SOIC

安装类型

表面贴装

晶体管配置

隔离式

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2000 mW

每片芯片元件数目

2

晶体管材料

Si

典型接通延迟时间

12 ns, 16 ns

典型栅极电荷@Vgs

16 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

520 pF @ 24 V

典型关断延迟时间

32 ns, 45 ns

最低工作温度

-55 °C

宽度

4mm

高度

1.5mm

最高工作温度

+150 °C

长度

5mm

尺寸

5 x 4 x 1.5mm