NTMD3P03R2G, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 3.86 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 688-9137P
- 制造商零件编号:
- NTMD3P03R2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 198 | RMB4.415 |
| 200 - 498 | RMB3.335 |
| 500 - 998 | RMB2.975 |
| 1000 + | RMB2.845 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-9137P
- 制造商零件编号:
- NTMD3P03R2G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 85 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2000 mW | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 520 pF @ 24 V | |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns, 45 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns, 16 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 85 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2000 mW | ||
宽度 4mm | ||
典型输入电容值@Vds 520 pF @ 24 V | ||
典型关断延迟时间 32 ns, 45 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 12 ns, 16 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||