NTR4101PT1G , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.4 A, Vds=20 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 688-9152
- 制造商零件编号:
- NTR4101PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB5.52
(不含税)
RMB6.24
(含税)
有库存
- 另外 152 件在 2026年6月01日 发货
- 另外 206 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB2.76 | RMB5.52 |
| 50 - 198 | RMB1.59 | RMB3.18 |
| 200 - 498 | RMB1.075 | RMB2.15 |
| 500 - 998 | RMB1.05 | RMB2.10 |
| 1000 + | RMB1.025 | RMB2.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-9152
- 制造商零件编号:
- NTR4101PT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 85 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 730 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.94mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 675 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 30.2 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 85 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 730 mW | ||
典型接通延迟时间 7.5 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.3mm | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm | ||
长度 2.9mm | ||
高度 0.94mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型输入电容值@Vds 675 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 30.2 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V | ||