IRFI4212H-117P, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 11 A, Vds=100 V, 5针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 700-3220
- 制造商零件编号:
- IRFI4212H-117P
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
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| 10 - 18 | RMB12.105 | RMB24.21 |
| 20 - 48 | RMB10.88 | RMB21.76 |
| 50 - 98 | RMB10.815 | RMB21.63 |
| 100 + | RMB10.19 | RMB20.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 700-3220
- 制造商零件编号:
- IRFI4212H-117P
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 73 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 18000 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 9.5 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 490 pF@ 25 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.7 ns | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 9.02mm | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 73 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 串行 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 18000 mW | ||
典型关断延迟时间 9.5 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 490 pF@ 25 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.7 ns | ||
高度 9.02mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm | ||
宽度 4.83mm | ||