ZXMN6A11DN8TA, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 3.2 A, Vds=60 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 708-2416
- 制造商零件编号:
- ZXMN6A11DN8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB26.11
(不含税)
RMB29.505
(含税)
有库存
- 另外 80 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB5.222 | RMB26.11 |
| 25 - 45 | RMB4.256 | RMB21.28 |
| 50 - 95 | RMB4.052 | RMB20.26 |
| 100 - 245 | RMB2.81 | RMB14.05 |
| 250 + | RMB2.74 | RMB13.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 708-2416
- 制造商零件编号:
- ZXMN6A11DN8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 1.95 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.7 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 330 pF @ 40 V | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 8.2 ns | |
| 宽度 | 4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.2 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 1.95 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.7 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 330 pF @ 40 V | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 8.2 ns | ||
宽度 4mm | ||