DMN2004K-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.63 A, Vds=20 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 708-2425P
- 制造商零件编号:
- DMN2004K-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 225 | RMB1.08 |
| 250 - 475 | RMB0.965 |
| 500 - 1225 | RMB0.843 |
| 1250 + | RMB0.778 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 708-2425P
- 制造商零件编号:
- DMN2004K-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 630 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 350 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 59.4 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1.1mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5.7 ns | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.9 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 150 pF@ 16 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 630 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 350 mW | ||
典型关断延迟时间 59.4 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5.7 ns | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.9 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 150 pF@ 16 V | ||