ZXMP2120E5TA , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.122 A, Vds=-200 V, 5针 SOT-23-5封装
- RS 库存编号:
- 708-2507
- 制造商零件编号:
- ZXMP2120E5TA
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计(1 包,共 5 件)*
RMB30.50
(不含税)
RMB34.45
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB6.10 | RMB30.50 |
| 25 - 45 | RMB4.77 | RMB23.85 |
| 50 - 95 | RMB4.28 | RMB21.40 |
| 100 - 245 | RMB3.73 | RMB18.65 |
| 250 + | RMB3.42 | RMB17.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 708-2507
- 制造商零件编号:
- ZXMP2120E5TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 122 mA | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 28 Ω | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 750 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.8 x 1.3mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 100 pF @ -25 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 宽度 | 1.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 122 mA | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 28 Ω | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 750 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.3mm | ||
尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm | ||
长度 3.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 100 pF @ -25 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
宽度 1.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
