ZXMN2F34MATA , N沟道 MOSFET 晶体管, 8.5 A, Vds=20 V, 3针 DFN-3封装
- RS 库存编号:
- 708-2560P
- 制造商零件编号:
- ZXMN2F34MATA
- 制造商:
- DiodesZetex
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RMB97.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB1.72 |
| 100 - 190 | RMB1.55 |
| 200 - 490 | RMB1.35 |
| 500 + | RMB1.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 708-2560P
- 制造商零件编号:
- ZXMN2F34MATA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | DFN-3 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 6.6 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 277 pF @ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 2.65 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 9.9 ns | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 120 mΩ | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 DFN-3 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 6.6 W | ||
典型输入电容值@Vds 277 pF @ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.8 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 2.1mm | ||
典型接通延迟时间 2.65 ns | ||
典型关断延迟时间 9.9 ns | ||
宽度 2.1mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||