SUP75P03-07-E3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 75 A, Vds=30 V, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 708-5171
- 制造商零件编号:
- SUP75P03-07-E3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB13.64 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 708-5171
- 制造商零件编号:
- SUP75P03-07-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3750 mW | |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
| 典型关断延迟时间 | 150 ns | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 9000 pF@ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 10 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3750 mW | ||
尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm | ||
典型关断延迟时间 150 ns | ||
宽度 4.7mm | ||
高度 9.01mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.41mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 25 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 9000 pF@ 25 V | ||