SI1403CDL-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 1.4 A, Vds=20 V, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 710-3213
- 制造商零件编号:
- SI1403CDL-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB2.615 | RMB26.15 |
| 50 - 90 | RMB2.49 | RMB24.90 |
| 100 - 240 | RMB2.041 | RMB20.41 |
| 250 - 490 | RMB1.70 | RMB17.00 |
| 500 + | RMB1.416 | RMB14.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3213
- 制造商零件编号:
- SI1403CDL-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 568 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 典型关断延迟时间 | 28 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2.05 x 1.25 x 0.9mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 568 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V | ||
长度 2.05mm | ||
宽度 1.25mm | ||
典型关断延迟时间 28 ns | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2.05 x 1.25 x 0.9mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN