SI2309CDS-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 1.2 A, Vds=60 V, 3针 SOT-23,TO-236封装

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Packaging Options:
RS 库存编号:
710-3250P
制造商零件编号:
SI2309CDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.2

最大漏源电压 Vd

60

系列

Si2309CDS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面安装

引脚数目

3

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2

最大栅源电压 Vgs

20

最大功耗 Pd

1

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.7

最低工作温度

-55

最高工作温度

150

宽度

1.4

标准/认证

No

长度

3.04

高度

1.02

汽车标准