SI3441BDV-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.45 A, Vds=20 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 710-3285P
- 制造商零件编号:
- SI3441BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 180 | RMB2.314 |
| 200 - 380 | RMB2.106 |
| 400 - 980 | RMB1.924 |
| 1000 + | RMB1.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 710-3285P
- 制造商零件编号:
- SI3441BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 860 mW | |
| 尺寸 | 3.05 x 1.65 x 1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.65mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.2 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 90 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.45V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 860 mW | ||
尺寸 3.05 x 1.65 x 1mm | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
长度 3.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.65mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 4.5 V | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN